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IXTA1N80P
IXTU1N80P
IXTP1N80P
IXTY1N80P
1.3
Fig. 7. Input Admittance
1.0
Fig. 8. Transconductance
1.2
1.1
1.0
0.9
0.9
0.8
0.7
T J = - 40oC
25oC
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
T J = 125oC
25oC
- 40oC
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
125oC
0.2
0.1
0.0
0.1
0.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
3.0
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 400V
2.5
8
I D = 0.5A
I G = 1mA
7
2.0
6
1.5
5
4
1.0
0.5
0.0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1,000
100
10
1
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
10.0
1.0
0.1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: T_1N80P(1A)02-10-09-A
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